NEWSLOOK


Главные новости
В мире
Общество
Экономика
   Транспорт
   Металлургия
   Финансы
   Энергетика
   Недвижимость
Спорт
   Футбол
   Хоккей
   Теннис
   Баскетбол
   Единоборства
   Автоспорт
Происшествия
Культура
   Кино
   Музыка
   Выставки
   Театры
Наука
Hi-Tech
   Мобильная связь
   Безопасность
   Софт
   Hardware
Интернет
Новости в блогах
Политика
   Выборы
   Единая Россия
   КПРФ
   Справедливая Россия
   Яблоко
   СПС
Религия
Авто
Туризм
Здоровье
Главные
Страхование

В мире
Мобильная связь
Тема дня
все новости



19.02.18 11:02 США рассказали о дубине и морковке в переговорах с Северной Кореей





19.02.18 10:56 Рекс Тиллерсон пригрозил КНДР «большой дубиной»

Госсекретарь США Рекс Тиллерсон в интервью CBS News заявил, что Вашингтон собирается продолжать давление на Пхеньян, пока не добьется готовности КНДР к переговорам.



19.02.18 10:50 В сети пожелали стереть себе память после баттла Гуфа и Птахи





19.02.18 10:41 CAS подтвердил открытие дела в отношении Крушельницкого по нарушению антидопинговых правил

ПХЁНЧХАН /Южная Корея/, 19 февраля. /ТАСС/. Антидопинговый отдел Спортивного арбитражного суда (CAS) открыл делов отношении российского керлингиста Александра Крушельницкого по нарушению антидопинговых правил. Об этом сообщается в релизе суда.



19.02.18 10:41 Лавров пояснил, кому нужен «Турецкий поток»

Проект «Турецкого потока» нужен, чтобы повысить возможности для балканских стран получать российский газ, заявил глава МИД РФ Сергей Лавров.



Газета Эхо Москвы Египет Киргизия Версия NVIDIA Коммерсант Московский комсомолец Интервью >>

Последние новости сегодня 19.02.2018

Hardware

Специалисты Toshiba повысили плотность 45-нм микросхем еще на 30%

 

24.06.08 18:05

По сообщению компании Toshiba, сделанному на симпозиуме по СБИС в Гонолулу, ее специалистам удалось разработать технологию повышения плотности размещения элементов фотошаблона, за счет чего при той же площади кристалла количество элементов интегральной схемы можно увеличить на 30%.

Для сравнения — переход от норм 65 нм к нормам 45 нм обеспечивает увеличение плотности в два раза. Применение новой технологии увеличивает этот показатель до 2,6 раза.

В основе разработки лежит учет одного из эффектов, возникающих при уменьшении компонентов схемы. Он известен под названием «топологическая зависимость» и заключается в изменении параметров транзисторов под влиянием расположенных рядом структур. Значение эффекта возрастает по мере перехода к более тонким нормам, поскольку расстояние между элементами сокращается.

Изменив параметры затворов транзисторов в модели, используемой при проектировании топологии схемы, инженеры Toshiba смогли обеспечить более плотное размещение транзисторов без потери их производительности.

На данный момент, исследователям удалось достичь плотности 2,1 млн. затворов на один кв. мм 45-нм чипа. Для обычного 45-нм чипа этот показатель равен 1,6, а у 65-нм — 0,8.

Источник: Tech-On!




toshiba

Transcend выпускает свою первую память DDR3 для энтузиастов
Корпус Lian-Li PC-A77 имеет 12 посадочных мест для накопителей
Рабочая станция HP xw4550 на четырехъядерном процессоре AMD стоит $599
План выпуска чипсетов AMD говорит о поддержке DDR3 в 1 квартале 2009 г.
Lian-Li Tyr X2000 — немаленький корпус для HTPC или игрового ПК

Scythe обновила многофункциональную панель Kama Panel 2
AMD демонстрирует мощь R700 и говорит об изменении подхода к выпуску новых продуктов
Видеокарты AMD научили трассировке лучей
Diamond выпустит ATI Radeon HD 4870 XOC Black Edition с рекордными частотами?
Плата VIA EPIA P700 уместила многое в размер 10 х 7 см