NEWSLOOK


Главные новости
В мире
Общество
Экономика
   Транспорт
   Металлургия
   Финансы
   Энергетика
   Недвижимость
Спорт
   Футбол
   Хоккей
   Теннис
   Баскетбол
   Единоборства
   Автоспорт
Происшествия
Культура
   Кино
   Музыка
   Выставки
   Театры
Наука
Hi-Tech
   Мобильная связь
   Безопасность
   Софт
   Hardware
Интернет
Новости в блогах
Политика
   Выборы
   Единая Россия
   КПРФ
   Справедливая Россия
   Яблоко
   СПС
Религия
Авто
Туризм
Здоровье
Главные
Страхование

В мире
Мобильная связь
Тема дня
все новости



20.10.18 11:01 Один человек остается в реанимации после взрыва на заводе в Ленинградской области

С помощью авиации его перевезут в областную больницу.



20.10.18 10:55 Ученые показали, как работает «дедовщина» у пчел

Старшие заставляют работать младших с помощью вибрации.



20.10.18 10:32 Названа причина смерти сооснователя Microsoft





20.10.18 10:14 Глава UFC посчитал Макгрегора недостойным реванша с Нурмагомедовым





20.10.18 10:10 Парашютист сходил за молоком, спрыгнув с 29-го этажа

Необычный способ ходить в магазин.



Газета Эхо Москвы Египет Киргизия Версия NVIDIA Коммерсант Московский комсомолец Москва >>

Последние новости сегодня 21.10.2018

Hardware

Специалисты Toshiba повысили плотность 45-нм микросхем еще на 30%

 

24.06.08 18:05

По сообщению компании Toshiba, сделанному на симпозиуме по СБИС в Гонолулу, ее специалистам удалось разработать технологию повышения плотности размещения элементов фотошаблона, за счет чего при той же площади кристалла количество элементов интегральной схемы можно увеличить на 30%.

Для сравнения — переход от норм 65 нм к нормам 45 нм обеспечивает увеличение плотности в два раза. Применение новой технологии увеличивает этот показатель до 2,6 раза.

В основе разработки лежит учет одного из эффектов, возникающих при уменьшении компонентов схемы. Он известен под названием «топологическая зависимость» и заключается в изменении параметров транзисторов под влиянием расположенных рядом структур. Значение эффекта возрастает по мере перехода к более тонким нормам, поскольку расстояние между элементами сокращается.

Изменив параметры затворов транзисторов в модели, используемой при проектировании топологии схемы, инженеры Toshiba смогли обеспечить более плотное размещение транзисторов без потери их производительности.

На данный момент, исследователям удалось достичь плотности 2,1 млн. затворов на один кв. мм 45-нм чипа. Для обычного 45-нм чипа этот показатель равен 1,6, а у 65-нм — 0,8.

Источник: Tech-On!




toshiba

Transcend выпускает свою первую память DDR3 для энтузиастов
Корпус Lian-Li PC-A77 имеет 12 посадочных мест для накопителей
Рабочая станция HP xw4550 на четырехъядерном процессоре AMD стоит $599
План выпуска чипсетов AMD говорит о поддержке DDR3 в 1 квартале 2009 г.
Lian-Li Tyr X2000 — немаленький корпус для HTPC или игрового ПК

Scythe обновила многофункциональную панель Kama Panel 2
AMD демонстрирует мощь R700 и говорит об изменении подхода к выпуску новых продуктов
Видеокарты AMD научили трассировке лучей
Diamond выпустит ATI Radeon HD 4870 XOC Black Edition с рекордными частотами?
Плата VIA EPIA P700 уместила многое в размер 10 х 7 см