NEWSLOOK


Главные новости
В мире
Общество
Экономика
   Транспорт
   Металлургия
   Финансы
   Энергетика
   Недвижимость
Спорт
   Футбол
   Хоккей
   Теннис
   Баскетбол
   Единоборства
   Автоспорт
Происшествия
Культура
   Кино
   Музыка
   Выставки
   Театры
Наука
Hi-Tech
   Мобильная связь
   Безопасность
   Софт
   Hardware
Интернет
Новости в блогах
Политика
   Выборы
   Единая Россия
   КПРФ
   Справедливая Россия
   Яблоко
   СПС
Религия
Авто
Туризм
Здоровье
Главные
Страхование

В мире
Мобильная связь
Тема дня
все новости



12.12.18 11:03 Суд обязал Сторми Дэниелс выплатить президенту США сумму судебных издержек

Москва. 12 декабря. INTERFAX.RU — Федеральный судья во вторник обязал порноактрису Стоми Дэниэлс оплатить президенту США Дональду Трампу судебные издержки в $292 тыс. и еще одну тысячу штрафа в связи с ее отклоненным иском о клевете, сообщил телеканал CNBC.



12.12.18 11:03 Где находится самая живописная ледяная лагуна в мире

Завораживающее зрелище.



12.12.18 11:01 «Россия 24» выдала за робота Бориса ряженого в костюм танцора





12.12.18 10:58 Жириновский: надо запретить артистам сниматься в нескольких новогодних шоу

МОСКВА, 12 дек — РИА Новости. Лидер ЛДПР Владимир Жириновский предложил запретить одним и тем же артистам участвовать в съемках новогодних шоу сразу на нескольких каналах, чтобы у россиян «был выбор хотя бы в новогоднюю ночь».



12.12.18 10:55 Овечкин побил рекорд Павла Буре





Газета Эхо Москвы Египет Киргизия Версия NVIDIA Коммерсант Москва Московский комсомолец >>

Последние новости сегодня 12.12.2018

Hardware

Специалисты Toshiba повысили плотность 45-нм микросхем еще на 30%

 

24.06.08 18:05

По сообщению компании Toshiba, сделанному на симпозиуме по СБИС в Гонолулу, ее специалистам удалось разработать технологию повышения плотности размещения элементов фотошаблона, за счет чего при той же площади кристалла количество элементов интегральной схемы можно увеличить на 30%.

Для сравнения — переход от норм 65 нм к нормам 45 нм обеспечивает увеличение плотности в два раза. Применение новой технологии увеличивает этот показатель до 2,6 раза.

В основе разработки лежит учет одного из эффектов, возникающих при уменьшении компонентов схемы. Он известен под названием «топологическая зависимость» и заключается в изменении параметров транзисторов под влиянием расположенных рядом структур. Значение эффекта возрастает по мере перехода к более тонким нормам, поскольку расстояние между элементами сокращается.

Изменив параметры затворов транзисторов в модели, используемой при проектировании топологии схемы, инженеры Toshiba смогли обеспечить более плотное размещение транзисторов без потери их производительности.

На данный момент, исследователям удалось достичь плотности 2,1 млн. затворов на один кв. мм 45-нм чипа. Для обычного 45-нм чипа этот показатель равен 1,6, а у 65-нм — 0,8.

Источник: Tech-On!




toshiba

Transcend выпускает свою первую память DDR3 для энтузиастов
Корпус Lian-Li PC-A77 имеет 12 посадочных мест для накопителей
Рабочая станция HP xw4550 на четырехъядерном процессоре AMD стоит $599
План выпуска чипсетов AMD говорит о поддержке DDR3 в 1 квартале 2009 г.
Lian-Li Tyr X2000 — немаленький корпус для HTPC или игрового ПК

Scythe обновила многофункциональную панель Kama Panel 2
AMD демонстрирует мощь R700 и говорит об изменении подхода к выпуску новых продуктов
Видеокарты AMD научили трассировке лучей
Diamond выпустит ATI Radeon HD 4870 XOC Black Edition с рекордными частотами?
Плата VIA EPIA P700 уместила многое в размер 10 х 7 см